[发明专利]呈电路阵列结构供高速操作的半导体存储器无效

专利信息
申请号: 96108291.7 申请日: 1996-06-29
公开(公告)号: CN1099119C 公开(公告)日: 2003-01-15
发明(设计)人: 柳济焕;李中和 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/40 分类号: G11C11/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒,萧掬昌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储器,至少有四个存储单元阵列块,它们由存储单元、行和列解码器阵列构成,以分别控制阵列块内的字线和位线。该存储器包括输入/输出线路;输入/输出装置,供控制和驱动数据的输入/输出;第一数据线路,供传输数据;第二数据线路,连接至少两个阵列块的第一数据线路来传输数据;数据读出放大器,供读出和放大数据;数据输出装置,用以将放大的数据输出给外引线架。本发明可以制取总面积和耗电量小的半导体存储器。
搜索关键词: 电路 阵列 结构 高速 操作 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种半导体存储器,至少有四个存储单元阵列块,它们由多个存储单元和行解码器及列解码器排成阵列构成,用以分别控制配置在各存储单元阵列块内的字线和位线,所述半导体存储器包括:输入/输出线路,供输入/输出所述存储单元阵列块的数据;输入/输出装置,与所述输入/输出线路相连接,供控制和驱动数据的输入/输出;数据读出放大器,供读出和放大数据用;数据输出装置,与所述数据读出装置连接,用以将放大后的数据输出给外引线架;其特征在于,该半导体存储器还包括:第一数据线路,供传输数据用,配置在一个存储单元阵列块的所述输入/输出装置与另一个垂直于所述一个存储单元阵列块配置的存储单元阵列块的所述输入/输出装置之间;第二数据线路,用以通过连接在水平方向配置的至少两个存储单元阵列块的所述第一数据线路来传输数据;其中,所述数据读出放大器与所述第二数据线路连接。
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