[发明专利]制造半导体器件电容器的方法

摘要

本发明公开一种使电容器电极工作稳定并改善半导体器件的工作特性和可靠性的制造半导体器件电容器的方法。该方法包括以下各步骤制备一块半导体基片；在该基片上形成绝缘层；通过选择去除下绝缘层形成接触孔；在接触孔内形成柱塞；在其上形成Ｔｉ/ＴｉＮ膜；在Ｔｉ／ＴｉＮ膜上形成第一氧化钌膜；在第一氧化钌膜上形成第一ＳＯＧ膜；将离子注入到第一ＳＯＧ膜的表面；在第一ＳＯＧ膜上形成第二ＳＯＧ膜，然后选择去除第一和第二ＳＯＧ膜；利用第一和第二ＳＯＧ膜作掩模腐蚀第一氧化钌膜Ｔｉ／ＴｉＮ和膜；去除第一和第二ＳＯＧ膜，然后在裸露的表面上形成介质膜；以及在介质膜上形成第二氧化钌膜。

主权项

1.一种制造半导体器件电容器的方法，该方法包括以下各步骤：制备一块半导体基片；在所说的半导体基片上形成绝缘层；通过选择去除所说的下绝缘层，形成露出所说的半导体基片的接触孔；在所说的接触孔内形成柱塞；在所说的柱塞和所说的下绝缘层上形成钛/氮化钛膜；在所说的钛/氮化钛膜上形成第一氧化钌膜；其特征在于：在所说的第一氧化钌膜上形成第一旋涂玻璃膜；将杂质注入所说的第一旋涂玻璃膜的表面；在所说的第一旋涂玻璃膜上形成第二旋涂玻璃膜，然后选择去除第一和第二旋涂玻璃膜；利用所说的第二和所说的第一旋涂玻璃膜做掩模，腐蚀所说的第一氧化钌膜和所说的钛/膜氮化钛；清除所说的第二和第一旋涂玻璃膜，然后在所说的第一氧化钌膜、所说的钛/氮化钛膜和所说的下绝缘层的裸露表面上形成介质膜。