[发明专利]硅单晶颈部内消除位错的方法无效
| 申请号： | 96102274.4 | 申请日： | 1996-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1148103A | 公开（公告）日： | 1997-04-23 |
| 发明（设计）人： | 萨达西万·钱德拉赛卡尔;金永民 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈申贤 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用Czochralski方法制备的硅单晶，其特征为包括一个可分为上部、中部和下部的颈部。上部含有位错。中部介在上部和下部之间。大部分中、下部的直径大于10mm，而下部没有位错。该晶体还包括一个邻接颈部下部的向外张开的区段，以及一个邻接向外张开区段的主体。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 颈部 消除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用Czochralski法制备的硅单晶，其特征为具有：一个可分为上部、中部和下部的颈部，上部含有位错，中部介在上部和下部之间，大多数中部和下部的直径大于10mm，而下部没有位错；一个向外张开的区段邻接颈部的下部；及一个主体邻接向外张开的区段。
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