[发明专利]电子束设备及驱动该设备的方法无效

专利信息
申请号: 96101340.0 申请日: 1996-01-31
公开(公告)号: CN1108622C 公开(公告)日: 2003-05-14
发明(设计)人: 织田仁 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01J1/316 分类号: H01J1/316;H01J31/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种电子束设备包括电子发射装置,与电子发射装置相距H(w)的阳极,给装置加电压Vf(V),和给阳极加电压Va(V)的装置。电子发射装置具有分布在与低电位端电极相连的低电位端导电薄膜和与高电位端电极相连的高电位端导电薄膜之间的电子发射区。该装置还具有含有半导体物质、厚度不超过10nm的薄膜。含半导体的薄膜在高电位端导电薄膜上从电子发射区向高电位端电极延伸一段长度L(m)。上面的Vf,Va,H和L满足关系L≥(1/π)·(Vf/Va)·H。
搜索关键词: 电子束 设备 驱动 方法
【主权项】:
1、电子束设备,包括:电子发射装置、阳极、给所述电子发射装置施加电压Vf的装置和给所述阳极施加另一电压Va的装置,其中,所述电子发射装置具有分布在低电位端电极和高电位端电极之间的电子发射区,位于电子发射区和高/低电位端电极之间的高/低电位端导电薄膜,在位于所述高电位端电极一侧的所述电子发射装置的除所述电子发射区之外的表面上还具有电子散射面形成层,所述电子散射面形成层在所述电子发射装置的表面和所述电子散射面形成层之间的界面处引起电子的弹性散射,从而与没有电子散射面形成层的情况相比,增加了发射电流。
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