[发明专利]对陶瓷芯片型熔断器的改进无效
| 申请号: | 95195031.2 | 申请日: | 1995-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN1071930C | 公开(公告)日: | 2001-09-26 |
| 发明(设计)人: | 斯蒂芬·惠特尼;基思·斯波尔丁;琼·温尼特;瓦林达·卡尔拉 | 申请(专利权)人: | 库珀工业公司 |
| 主分类号: | H01H61/02 | 分类号: | H01H61/02;H01H85/04 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 超小型电路保护器包括至少一具有至少一个熔断元件的陶瓷材料层和一覆盖层,构成层叠结构。其两端设有导电端子。其中一层具有一个以上的熔断元件,该元件可并联或串联。单层的每个熔断元件可包括两个或多个串联或并联的熔断元件。其制造方法包括在多个未烧结的陶瓷材料基片上印制多个熔断元件,将基片堆积形成一层叠结构,将层叠结构切成单个单元,并在该单元两端覆盖导电材料,形成端子。$#! | ||
| 搜索关键词: | 陶瓷 芯片 熔断器 改进 | ||
【主权项】:
1.一种制作芯片型熔断器的方法,其特征在于,包括如下步骤:采用未经烧结的陶瓷材料制成至少一个基片元件;在至少一个所述基片元件的上表面上用导电薄膜形成多个彼此相隔的列和行,所述导电薄膜行基本上与所述导电薄膜列的延伸方向相垂直,所述行和列彼此交叉,以便实现薄膜与导体之间的电接触;在所述基片的上表面上施加由未经烧结的陶瓷材料制成的覆盖层,以便形成一个层叠结构;分割所述的层叠结构,形成多个单个的芯片型熔断器,其中每一个芯片型熔断器包括一个熔断元件,该熔断元件包括位于两个端部的金属薄膜焊盘和连接所述焊盘的长条形导电元件,其中所述焊盘由相邻的薄膜列形成,所述长条形元件由与相邻薄膜列相交叉的导电元件形成;对所述芯片型熔断器进行烧结,以便使所述未经烧结的陶瓷材料硬化,并在所述导电元件与焊盘之间形成金属键。
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