[发明专利]具有增加了四面体等同碳浓度的镀碳阻挡膜无效
| 申请号: | 95193360.4 | 申请日: | 1995-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN1150461A | 公开(公告)日: | 1997-05-21 |
| 发明(设计)人: | 小·J·R·韦格纳 | 申请(专利权)人: | 美孚石油公司 |
| 主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 魏金玺,杨丽琴 |
| 地址: | 美国弗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 采用等离子体增强化学气相淀积法将碳淀积在衬底上,该方法所用的可分解前体中含有种子材料添加物。该种子材料是具有高浓度sp3四面体等同碳的烃。该种子材料为复制淀积的无定形碳镀层中的sp3四面体等同碳原子提供了样板。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 增加 四面体 等同 浓度 阻挡 | ||
【主权项】:
1.一种生产具有增强阻挡特性的薄膜的方法。该方法包括采用可分解前体的气相淀积法在等离子体存在下将碳镀层淀积在衬底上,其中该可分解前体包含可促进淀积的碳镀层中生成四面体等同碳,或增加碳镀层中的四面体等同碳浓度的种子材料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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