[发明专利]探测短暂受激发光的方法无效

专利信息
申请号: 95193304.3 申请日: 1995-05-17
公开(公告)号: CN1149335A 公开(公告)日: 1997-05-07
发明(设计)人: G·L·杜维尼克;D·尼莎夫尔;M·埃拉特 申请(专利权)人: 希巴-盖吉股份公司
主分类号: G01N21/77 分类号: G01N21/77;G01N21/64
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 樊卫民
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种利用平面介电光学传感器平台测定发光的方法,该平台由其上涂敷一层透明波导层(b)的透明基底(a)组成,传感器平台设有一个光栅,用于激励光的输入耦合,所述基底(a)的折射率低于波导层(b)的折射率,使液体样品与层(b)相接触,用光电方法测量样品中具有发光特性的物质所产生的发光,或固定在层(b)上的具有发光特性的物质所产生的发光,本发明也涉及利用本方法作定量的亲和性检测,并用于定量测定在光学浑浊液中的发光成分。
搜索关键词: 探测 短暂 激发 方法
【主权项】:
1.一种利用平面介电光学传感器平台测定发光的方法,该平台由其上涂敷一薄层透明波导层(b)的透明基底(a)组成,传感器平台设有一个光栅,用于激励光的输入耦合,所述基底(a)的折射率低于波导层(b)的折射率,使液体样品与层(b)相接触,用光电方法测量样品中具有发光特性的物质所产生的发光,或固定在层(b)上的具有发光特性的物质所产生的发光,其特征是,(A)激励光被耦合进入平面波导,并渡越波导层,于是具有发光特性的物质受到激励,在波导层的短暂场内发光,(B)光栅的调制深度为3-60nm,(C)层(b)的厚度为40-160nm,(D)调制深度与层(b)的厚度之比小于0.5。
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