[发明专利]共平面波导一倒装芯片

摘要

一个射频功率放大器（２２）包括一个倒装在一个衬底（３０）的一个连接区（３２）上的一个多ＦＥＴ芯片（２６）。一个输入阻抗匹配网络（６２、６４）也安装在该衬底上。该网络包括一个共平面波导（２４），该波导（２４）对于该ＦＥＴ芯片（２６）上的各个栅端（７０）有一个细长形波导信号导体（４８ｂ、４８ｃ），该导体有一个与连接区（３２）隔开的远端（４８ｄ、４８ｃ）和一个在连接区内的近端（４８ｇ、４８ｈ）。一个电容器（５４、５６）将各个输入信号导体的远端（４８ｄ、４８ｃ)与一个邻近的接地导体（３６、３８）耦合。该信号导体（４８ｂ、４８ｃ）和电容（５４、５６）对一个选定的频率提供一个选定的阻抗。一个输出共平面波导（２８）相对每个漏极（７２）有一个输出信号导线（８８），该导体（８８）有一个在连接区（３２）内的、与倒装的ＦＥＴ芯片（２６）电连接的端子（８２ａ），这种波导（２８）也有一个选定的长度以提供所需的阻抗匹配，而且也可以有其它方式的阻抗匹配。$#!

主权项

1．一个基于共平面传输线的电路结构，包括：一个具有一个平板衬底表面的电绝缘衬底，该表面上有一个连接区；一个位于所述衬底表面上的第一共平面传输线，该传输线中具有第一和第二被隔开的共平面接地导体以及一个第一信号导体，该第一信号导体与所述接地导体共平面并被放置在所述第一和第二接地导体之间且与该第一和第二接地导体隔开，所述信号导体以及所述第一和第二接地导体延伸到所述连接区内，并且所述第一和第二接地导体在连接区内耦连在一起；和一个芯片，具有芯片表面、集成电路和位于所述芯片表面上且与所述集成电路连接的第一和第二端子，所述芯片倒装在所述衬底的所述连接区上，所述芯片表面面对着所述衬底表面，所述第一端子直接装在所述至少一个接地导体上，所述第二端子直接倒装在所述信号导体上，所述连接区处在衬底表面为倒装电路所覆盖的部位，所述第一共平面传输线相对于所述集成电路传导电流。