[发明专利]防止含杂绝缘层吸潮的方法无效
| 申请号： | 95119957.9 | 申请日： | 1995-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1050446C | 公开（公告）日： | 2000-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李相奎 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 马涛 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种防止含杂绝缘层吸潮的方法，其包括步骤在一个基底上形成一个含杂绝缘层；和在含杂绝缘层上涂覆一层醇基物质，形成一个醇膜。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 绝缘 层吸潮 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止含杂绝缘层吸潮的方法，包括步骤：在一个基底上形成一含杂绝缘层；其特征在于，它还包括步骤：在所述含杂绝缘层上涂覆一层醇基物质，以形成一醇膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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