[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的半导体存储装置包括由多个存储单元阵与核心部外围电路交替配置而成的存储单元块、跨多个存储单元阵延伸的多条列选择线CSL、列选择线选择电路2、沿上述外围电路设置的第1和第2读出放大器驱动线/SAN、/DSSA、驱动它的读出放大器驱动线选择电路4、5、作为电阻元件的晶体管Q6、接在读出放大器电路与第2读出放大器驱动线/DSSA之间且由列选择线驱动的读出放大器激活晶体管Q5。利用本发明可获得一种高速的半导体存储装置，其芯片面积和电力消耗均不增加。

主权项

1.一种半导体存储装置，它包含：多个存储单元阵和核心部外围电路交替配置成的存储单元块，上述存储单元阵是将多个存储单元配置成行列状且将位于同一列上的上述存储单元连接于同一位线对而构成，上述核心部外围电路是将分别连接于上述位线对的多个列选择晶体管和分别连接于上述位线对的多个读出放大器电路排成列状而构成；分别沿核心部外围电路配置的多条第1和第2读出放大器驱动线；根据第2地址信号对上述第1和第2读出放大器驱动线进行选择并加以驱动的读出放大驱动线选择电路；以及分别配置在上述多个读出放大器电路和第1读出放大器驱动线之间的多个电阻器元件，其特征在于，还包括：多条列选择线，该多条列选择线跨上述多个存储单元阵延伸、与上述位线对平行配置并且对位于同一列中的多个上述列选择晶体管进行选择驱动；根据第1地址信号对上述列选择线进行选择并加以驱动的列选择电路；以及读出放大器激活晶体管，该读出放大器激活晶体管分别配置在上述多个读出放大器电路和第2读出放大器驱动线之间并由上述列选择线加以控制。