[发明专利]一种化合物半导体锑化铟薄膜真空蒸镀方法无效
| 申请号： | 95114250.X | 申请日： | 1995-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1127580C | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 黄钊洪 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学;惠州市东联实业有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/14;H01L21/203 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何燕玲 |
| 地址： | 5106*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明是一种化合物半导体锑化铟薄膜真空蒸镀方法，其特征在于它采用单电源双蒸发舟的加热蒸镀技术，把蒸镀装置中的两个蒸发舟并联连接后接到同一加热电源上，使加到两个蒸发舟两端的电压始终相等，同时，在制作蒸发舟时，使两个蒸发舟的电阻之比为1/10～4/5之间。用本发明方法，其蒸镀装置结构简单，成本低，易操作控制，大大提高了真空镀膜的质量。它既能同时同步调节蒸发舟功率，又能保证两蒸发舟功率之比有良好的重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 锑化铟 薄膜 真空 方法 | ||
【主权项】：
1、一种化合物半导体锑化铟薄膜真空蒸镀方法，其特征在于采用单电源双蒸发舟的加热蒸镀技术，把蒸镀装置中的两个蒸发舟并联连接后接到同一加热电源上，使加到两个蒸发舟两端的电压始终相等，同时，在制作蒸发舟时，通过调节及选择两个蒸发舟的制造材料的厚度、宽度和长度来使铟蒸发舟与锑蒸发舟的电阻比为1/10-4/5。
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