[发明专利]金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置在审
| 申请号： | 95113354.3 | 申请日： | 1995-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1123848A | 公开（公告）日： | 1996-06-05 |
| 发明（设计）人： | 俞振中;马可军;何进;沈寿珍;许平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/54 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 高毓秋 |
| 地址： | 200083*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改进的金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置，由气体供给部分、尾气处理部分、电子控制部分、安全报警部分及多个可通过阀门切换的反应生长腔体及加热部分组成。该装置已成功地生长出HgCdTe单晶膜并已试制成功性能良好的焦平面器件。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 有机化合物 沉积 薄膜 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置，包括气体供给部分，反应室生长腔体及加热部分、尾气处理部分、电子控制部分和安全报警部分，将金属有机化合物等源物质用载气输运到反应室生长腔体内，在被加热的衬底上发生化学反应，从而在衬底上化学外延薄膜晶体，其特征在于所说的反应室生长腔体为可进行切换的多个生长腔体。
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