[发明专利]自倍频光学超晶格LN，LT晶体生长及相关器件无效
| 申请号： | 95112708.X | 申请日： | 1995-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1146504A | 公开（公告）日： | 1997-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陆亚林;陆延青;薛辰晨;闵乃本 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;H01S3/16 |
| 代理公司： | 南京大学专利事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明应用直接法生长，在不对称温度场中引入周期性温度波动，从而在M∶N∶LiNbO3或M∶LiTaO3晶体中(M稀土活性离子Nb3+、Er3+、Pr3+、H03+等，N∶MgO、ZnO、Sc2O3)引入周期性的铁电畴结构(光学超晶格结构)，利用准位相匹配方法可以实现自倍频输出。本发明利用了LiNbO3或LiTaO3的最大的非线性系数d33，克服了在I类位相匹配时必须在σ-偏振状态(低增益)下实现的不足，无须温度装置及温度精密控制，以及可自倍频输出从蓝光到近红外光等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 倍频 光学 晶格 ln lt 晶体生长 相关 器件 | ||
【主权项】：
1.一种自倍频光学超晶格晶体的方法，其特征是LiNbO3或M：LiTaO3在LiNbO3或LiTaO3晶体中掺入稀土离子作为激光活性物质(稀土离子在Nd3+、Er3+、Pr3+、Ho3+等中选择)，掺入量：0.2-0.5wt％在LiNbO3晶体中掺入MgO、ZnO或者Sc2O3以增加该材料的抗光损伤阀值，掺入量：0.5-7.0mol％。
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