[发明专利]硫氰酸汞盐单晶的生长方法无效
| 申请号： | 95110320.2 | 申请日： | 1995-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1036535C | 公开（公告）日： | 1997-11-26 |
| 发明（设计）人： | 袁多荣;刘明果;许东;蒋民华;侯文博;方奇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B7/08 | 分类号： | C30B7/08;C30B29/46 |
| 代理公司： | 山东大学专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于溶液降温法晶体生长技术领域。以1-3％的氯化钾(钠)水溶液为作溶剂，在起始温度30-40℃硫氰酸汞盐过饱合溶液进行旋转籽晶降温生长，籽晶转速15-30rpm，降温速度0.1-0.3℃/天。生长周期1-2月可得到高光学质量的硫氰酸汞盐(AHg[SCN]4A＝Cd2+、Zn2+、Cu2+、Co2+、Ni2+)单晶，大小均在厘米级以上，其中硫氰酸汞镉晶体器件可实现半导体激光倍频毫瓦级蓝紫光输出。本发明方法操作简便安全无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 氰酸 汞盐单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫氰酸汞盐单晶的生长方法，包括采用硫氰酸汞盐(AHg[SCN]4，A＝Cd+2、Zn+2、Cu+2、Co+2或Ni+2)过饱和溶液进行旋转籽晶降温生长，其特征在于以重量百分比1-3％的氯化钾或氯化钠水溶液为溶剂。
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