[发明专利]用于制造电子源和成像设备的方法和设备无效
| 申请号： | 95109980.9 | 申请日： | 1995-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1086057C | 公开（公告）日： | 2002-06-05 |
| 发明（设计）人： | 池田外充;山野辺正人;河出一佐哲;大西敏一;岩崎达哉 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/38 | 分类号： | H01J9/38;H01J1/30;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有一对发射装置电极和一导电薄膜的电子发射装置，所说导电薄膜包括布置在上述电极之间的一电子发射区。该发射装置通过用于加大发射装置的发射电流的一激活过程而制造出来。所说激活过程包括步骤a)在初始条件下将一电压(Vact)施加到具有一间隙段的导电薄膜上，b)探测导电薄膜的导电性能和c)在需要时修改作为探测到的导电薄膜的导电性能的函数的初始条件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电子 成像 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射装置的制造方法，所述电子发射装置具有一对发射装置电极和一导电薄膜，该导电薄膜包括布置于上述电极之间的一电子发射区，此方法特征在于：它包括用来加大发射装置的发射电流的一激活过程，所述激活过程包括步骤a)以初始激活条件激活具有一间隙段的导电薄膜，b)探测所述导电薄膜的导电性能和c)以根据探测到的导电薄膜的电性能修正后的激活条件，进一步激活所述导电薄膜。
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