[发明专利]溅射装置无效
| 申请号： | 95109206.5 | 申请日： | 1995-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1072734C | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | 山西齐;青仓勇;横山政秀;滝泽贵博 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种采用矩形靶进行溅射，在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于沿靶的两侧缘，在各侧缘配置多个磁铁，这些磁铁的极性确定为相邻的磁铁为相反关系，同时，隔靶相对的磁铁间的极性确定为相反关系；配置至少两个以上的靶使其靶面与所述基板面形成３０°以上、６０°以下的角度。该装置用具有多个矩形靶的溅射电极，提高形成于大型基板上的薄膜的膜厚及膜质的均匀性，进而具有高的靶利用效率。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
【主权项】：
1．一种采用多个矩形靶进行溅射、在基板上形成薄膜的溅射装置，其特征在于，沿各靶的两侧缘，在各侧缘配置多个磁铁，确定这些磁铁的极性使相邻磁铁的极性相反，同时，确定隔靶相对的磁铁间的极性使之为相反关系；配置至少两个以上的靶使其靶面与所述基板面形成30°以上、60°下的角度。
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