[发明专利]离子束电子中和器无效
| 申请号: | 95109116.6 | 申请日: | 1995-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN1125896A | 公开(公告)日: | 1996-07-03 |
| 发明(设计)人: | V·M·本维尼斯特 | 申请(专利权)人: | 易通公司 |
| 主分类号: | H01J37/30 | 分类号: | H01J37/30;H01L21/265 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,马铁良 |
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种离子束中和器(150)具有一个电子源(210a-f)和一个将由电子源束的电子射向离子束(20)的电子反射器(226)。电源(200)将一个加速栅极(220)加偏压至适于将离开产生电子的灯丝(210a-f)的电子加速的电位。第二栅极(224)规定了电子运动通过的电场。电子通过第二栅极并被第二栅极和抛物线形金属反射器之间的电场所折射。 | ||
| 搜索关键词: | 离子束 电子 中和 | ||
【主权项】:
1.一种供离子束处理工件的离子注入器(10),该离子注入器包括:a)一个离子束源(12),该源发射用于处理工件的正电荷离子;b)离子束形成装置(80,14),该装置包括由离开离子束源的离子形成离子束(20)的结构;c)一个注入位置(22),该位置包括将工件放置在离子束中的结构(40);以及d)一个监控离子束流和控制撞击工件离子剂量的控制器(82),该离子注入器的特征在于离子束中和器(150)包括:i)一个具有将电子折射入离子束的面向内弧形表面的导电场限定的反射器(226);ii)一个将中和电子发射至反射器附近区域的电子源(210a-f),电子朝反射器运动并被折射向离子束;iii)在电子达到它们被所述反射器朝向离子束折射的区域前加速来自电子源的电子的导电场限定元件(220,224);以及iv)在电子被折射离开反射器,但在进入离子束之前使电子减速的导电装置(230,162a,162b)。
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