[发明专利]检测晶片缺陷的方法无效
| 申请号： | 95107565.9 | 申请日： | 1995-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1080927C | 公开（公告）日： | 2002-03-13 |
| 发明（设计）人： | 裵相满 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/06 | 分类号： | H01L21/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一检测晶片缺陷的方法，它包括下述步骤在一平整晶片的边缘部分形成用作校准标记的假芯片，该边缘部分没有图案芯片；将该晶片装到一缺陷检测仪中；调整假芯片的边缘部分；观测晶片缺陷，给出缺陷数据；并实施后续工序，按此采用检测的缺陷，观测后续工序中的缺陷，从而可以方便地监测晶片缺陷和加工缺陷之间以及加工缺陷自身之间的有机联系。$#! | ||
| 搜索关键词： | 检测 晶片 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测晶片缺陷的方法，其特征在于，它包含下述步骤：在一平整晶片的边缘部分形成用作校准标记的假芯片，所述边缘部分没有图案芯片，所述假芯片是由矩形凸起的或凹陷的光敏膜图案形成的；将所述晶片放到一缺陷检测仪内；调整所述假芯片的边缘部分；观测晶片缺陷，给出缺陷数据；以及实施后续工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
