[发明专利]工字型垂直腔面发射激光器无效
| 申请号： | 95104284.X | 申请日： | 1995-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1043705C | 公开（公告）日： | 1999-06-16 |
| 发明（设计）人： | 杜国同 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130023 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明为一种半导体激光器。$本发明为一种垂直腔表面发射出光的半导体激光器。它是在ＧａＡＳ单晶片上外延生长成有源区和多层异质外延薄膜以形成上、下反射镜，为把电流限制在较小的有源区内，以钨丝做掩膜进行质子轰击，使有源区左右形成高阻区，在有源区前后刻蚀出沟槽进行电流隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 工字型 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1．一种工字型垂直腔面发射半导体激光器，由下电极(1),n-GaAs衬底(2)，多层n-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs异质薄膜下反射镜(3),n-AlzGa1-zAs下限制层(4),GaAs有源层(5),p-AlzGa1-zAs上限制层(6)，多层p-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs异质薄膜上反射镜(7)，上电极(8)，和电流注入有源区(12)等构成，本发明的特征在于电流注入有源区(12)的左右两侧是质子轰击高阻区(11)，前后两侧是沟槽(10)。
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