[发明专利]半导体器件制作工艺无效
| 申请号： | 95103566.5 | 申请日： | 1995-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1106034C | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·Ｅ·莫茨;杰弗里·Ｇ·卡登海德;托马斯·Ｍ·艾伦;亚当·Ｈ·史蒂文斯 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明金属腐蚀工艺消除了使用有机掩模层溶剂的必要性并在等离子金属腐蚀步骤之后用腐蚀液对部分隔离层(68、81)进行腐蚀。此腐蚀液可包括乙二醇、氢氟酸和氟化铵。腐蚀液对隔离层(68、81)的腐蚀范围为100-900。腐蚀至少清除掉隔离层(68、81)中游离离子的75％，而且应能清除游离离子的至少95％。此工艺可采用酸罩、酸相容喷淋器或潭状处理器来完成。一种类似的工艺可以用于抗蚀剂回蚀工艺顺序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种制作半导体器件的工艺，其特征在于下列步骤：在半导体衬底上制作一隔离层(28)；在所述隔离层(28)上淀积一个含金属层(41)；在含金属层上制作一个图形化的有机掩模层(421、422)，从而形成含金属层(41)的暴露部分；用含卤化物的等离子腐蚀剂腐蚀含金属层(41)的暴露部分，以形成互连元件(411、412)；用等离子气体而不用有机掩模层溶剂清除图形化的有机掩模层(421、422)；用含氟化物的溶液腐蚀一部分所述隔离层(28)，在此步骤中：至少腐蚀掉100埃的所述隔离层；且该步骤在腐蚀所述暴露部分的步骤之后和在互连元件上制作任何层之前进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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