[发明专利]制造具有结晶半导体膜的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 95102929.0 | 申请日： | 1995-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1094652C | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 大谷久;宫永昭治;竹山顺一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;C30B1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造具有结晶硅膜的半导体器件的方法，它由在非晶硅膜的表面区域形成晶核和利用激光从晶核生长晶体两个步骤组成。典型的晶核是硅晶体或具有与硅晶体相同结构的金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 结晶 半导体 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有结晶半导体膜的半导体器件的方法，所述方法包括下述步骤：在基片之上形成非晶硅半导体膜；通过向所述半导体膜施加第一能量形成与所述半导体膜相接触或在其内的晶核；和通过向所述半导体膜施加第二能量从所述的晶核生长晶体以结晶化所述半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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