[发明专利]高频电磁场耦合的薄膜多层电极无效
| 申请号： | 94193722.4 | 申请日： | 1994-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1122327C | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 石川容平;日高青路 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01P3/18 | 分类号： | H01P3/18;H01P3/06;H01P3/08;H01P3/12;H01P7/08;H01P1/203;H01P1/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 由各对薄膜导体(21和22、22和23、23和24及24和25)构成多个TEM模式的传输线(L2-L5)，各对薄膜导体通过交替地堆积薄膜导体(21至25)和薄膜介质(31至34)夹住各个薄膜介质(31-34)。使传播通过传输线(L2至L5)的至少二个的TEM模式波的相速度大体上彼此相等。各薄膜导体(21至25)的厚度小于使用频率的趋肤深度，以致使该TEM模式的传输线(L2-L5)中的至少二个TEM模式的传输线的电磁场互相耦合。采用这种方式可有效地增加趋肤深度，与常规电极相比，可显著减少导体损耗和表面电阻。这种电极可构成传输线、谐振器、滤波器和高频器件。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 电磁场 耦合 薄膜 多层 电极 | ||
【主权项】：
1.一种高频电磁场耦合型薄膜多层电极，其特征在于：交替地堆积薄膜导体(21-25)和薄膜介质(31-34)以层叠多个TEM模式的传输线(L2-L5)，上述TEM模式的传输线(L2-L5)各包括一对上述的薄膜导体(21和22、22和23、23和24及24和25)，在上述各对薄膜导体之间各插入上述的薄膜介质(31-34)，其中，根据上述薄膜导体(21-25)和上述薄膜介质(31-34)的多层结构的层数(n)来设置上述薄膜介质(31-34)的各自的膜厚度，使得传播通过上述多个TEM模式的传输线(L2-L5)中的两个以上的TEM波的相速度彼此相等，以及其中，根据上述薄膜导体(21-25)和上述薄膜介质(31-34)的多层结构的层数(n)使上述薄膜导体(21-25)的各自的膜厚度小于所使用的频率的趋肤深度，以致使上述多个TEM模式的传输线(L2-L5)中的两个以上的电磁场互相耦合。
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