[发明专利]沉积铝薄膜的方法无效
| 申请号: | 94193375.X | 申请日: | 1994-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN1072735C | 公开(公告)日: | 2001-10-10 |
| 发明(设计)人: | A·C·琼斯 | 申请(专利权)人: | 国防大臣(由国防评估和研究机构代理) |
| 主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/20;C23C18/08;C23C18/10 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 孙爱 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种将高纯度第ⅢA族金属层沉积在基材上的方法,它包括基材与第ⅢA族金属的叔丁基化合物接触,然后使该化合物裂解,在基材上留下沉积的第ⅢA族金属。本发明的方法可用于任何适合的基材,如硅和聚酰亚胺。本发明的方法可用于第ⅢA族金属/硅合金的生长,以及用于使半导体Ⅲ-Ⅴ合金沉积,如AlGaAs、AlInAs和AlSb合金的沉积。$#! | ||
| 搜索关键词: | 沉积 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用化学蒸汽沉积在基材上沉积铝薄膜的方法,它包括以下步骤:基材与铝前体接触,以及处理前体使之分解,留下沉积在基材上的铝,其中前体是三叔丁基铝。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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