[发明专利]沉积铝薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 94193375.X 申请日: 1994-07-29
公开(公告)号: CN1072735C 公开(公告)日: 2001-10-10
发明(设计)人: A·C·琼斯 申请(专利权)人: 国防大臣(由国防评估和研究机构代理)
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18;C23C16/20;C23C18/08;C23C18/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 孙爱
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种将高纯度第ⅢA族金属层沉积在基材上的方法,它包括基材与第ⅢA族金属的叔丁基化合物接触,然后使该化合物裂解,在基材上留下沉积的第ⅢA族金属。本发明的方法可用于任何适合的基材,如硅和聚酰亚胺。本发明的方法可用于第ⅢA族金属/硅合金的生长,以及用于使半导体Ⅲ-Ⅴ合金沉积,如AlGaAs、AlInAs和AlSb合金的沉积。$#!
搜索关键词: 沉积 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种用化学蒸汽沉积在基材上沉积铝薄膜的方法,它包括以下步骤:基材与铝前体接触,以及处理前体使之分解,留下沉积在基材上的铝,其中前体是三叔丁基铝。
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