[发明专利]单片预应力陶瓷器件及其制法无效
| 申请号： | 94191712.6 | 申请日： | 1994-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1120874A | 公开（公告）日： | 1996-04-17 |
| 发明（设计）人： | G·H·赫林 | 申请（专利权）人： | 研究技术公司 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;H01L41/24;H01L41/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘元金,魏金玺 |
| 地址： | 美国阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 披露单片、内部不对称应力偏置、电激励陶瓷器件及其制法。本发明方法的第一步是制做有两个相对的第一和第二表面的陶瓷元件。继而，仅让第一表面通过在还原气氛中热处理而得以化学还原。于是，产生凹面形、内部不对称应力偏置陶瓷元件并在第一表面上生成一导电、化学还原层，该层作为器件的一个电极。可以在第二表面上沉积另一电极以完成此器件。在本发明的另一具体方案中，可以把两片穹顶形陶瓷元件放在一起构成一完整的蛤壳构造或手风琴式构造。在进一步的具体方案中，上述蛤壳或手风琴式构造可以彼此上下码放。在又一个具体方案中，一对具有相反温度特性的穹顶形陶瓷器件可以一上一下地放置构成一只非热化陶瓷器件。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 预应力 陶瓷 器件 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种制做内部不对称应力偏置陶瓷元件的方法，包括的步骤有：(a)形成带有彼此相对的第一和第二(表)面的陶瓷元件；(b)通过仅将所说第一面暴露于一种还原剂仅将所说第一面化学还原。
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