[发明专利]间隙中金属和薄膜混合读写头无效
| 申请号： | 94191479.8 | 申请日： | 1994-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1119475A | 公开（公告）日： | 1996-03-27 |
| 发明（设计）人： | 塞亚姆·C·达斯 | 申请（专利权）人： | 达斯设备公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/33;G11B5/23;G11B5/147 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,马铁良 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MIG和薄膜混合读写头使用较少的磁性材料从而降低了磁感应。混合头对探头高度公差较不敏感并对间隙和磁道之类的几何参数更好控制。混合头由各个磁心(210)、软磁层(201)、非磁性层(202)以及C形切口(204)组成。混合头由经过简化的较高成品率的工艺批量地制造。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 金属 薄膜 混合 读写 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁性存储器件的方法，此存储器件用来以磁通量的形式对相对于它而运动的磁性介质上的数据进行读或写，它包含下列步骤：在制作滑动触头的衬底上制作一个C形切口的磁心，并藉以在批量工艺中制作磁头。
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