[发明专利]形成光刻胶图形的方法无效
| 申请号： | 94120086.8 | 申请日： | 1994-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1079548C | 公开（公告）日： | 2002-02-20 |
| 发明（设计）人： | 权五成;李斗熙;陆迵善;洪兴基;具永谟 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成光刻胶图形的方法，光刻胶图形是在形成各光刻胶图形的曝光时间是在考虑了反射团数的变化而预先确定的条件下形成的。根据下列公式计算曝光时间Z＝X＋｛（γ－α）·（Y－X）／（β－α）｝，其中，T为基准厚度，T’为极限厚度，α为基准反射团数，β为极限反射因数，γ为反射因数变量，X为基准曝光时间，Y为极限曝光时间，而Z为曝光时间变量。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 光刻 图形 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成光刻胶图形的方法，用以对多个晶片实施光刻工艺，其特征在于，该方法包括如下步骤：在涂覆光刻胶膜的一基准厚度测定一基准反射因数，该基准厚度是由呈现最小或最大反射因数的光刻胶膜厚度确定的；在涂覆光刻胶膜的一极限厚度测定一极限反射因数，其中，该极限厚度与该基准厚度不同，其间的差值是由在光刻胶膜涂覆工艺中的最大工艺误差决定的；测量在晶片上的光刻胶的实际反射因数，其中，实际反射因数介于基准反射因数和极限反射因数之间；采用下列公式计算对应于实际反射因数的曝光时间：Z＝X+{(γ-α)·(Y-X)/(β-α)}其中α：对应于基准厚度的基准反射因数；β：对应于极限厚度的极限反射因数；γ：测量的实际反射因数；X：基准反射因数下的基准曝光时间；Y：极限反射因数下的极限曝光时间；以及Z：计算出的曝光时间，以及对全部晶片实施计算出的曝光时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/94120086.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
