[发明专利]具有高集成度布线结构的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 94114827.0 | 申请日： | 1994-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1050448C | 公开（公告）日： | 2000-03-15 |
| 发明（设计）人： | 沈相必 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有许多布线层和形成在其间的自对准接触孔的高集成度半导体布线结构中，这样形成布线层，使得要形成接触孔的部分形成为第１布线宽度，而其余部分形成为比第１布线宽度宽的第２布线宽度。在制造此结构的方法中，使接触孔以自对准的方式形成，因而，就能防止由于对不准可能产生的短路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成度 布线 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高集成度布线结构的半导体器件，其特征在于：所述布线结构包括许多布线层以及形成于其间的接触孔，所述布线层在要形成接触孔的部分形成为第1布线宽度，而在其余部分形成为比所述第1布线宽度宽的第2布线宽度。
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