[发明专利]溶剂恒液面提拉生长β－偏硼酸钡的方法

摘要

本发明涉及一种用溶剂恒液面提拉生长β－偏硼酸钡（β－ＢＢ０）单晶的方法，属于晶体生长领域。$本发明生长熔剂可分别采用Na2O,BaF2或Na2O+BaF2；生长速率达１．２—１．８ｍｍ／天。通过特殊设计的恒液面恒温生长炉进行生长。特别是伺服坩埚１２和生长坩埚８之间由连通管１３连接。倾斜角为３０—４０度，两者之间温差通过分别加温控制。前者比后者高出３０—１２０℃。生长的大晶体完整性好；包裹体显著减少、成品率高。

主权项

1．一种溶剂恒液面提拉生长β-偏硼酸钡的方法，整个晶体提拉生长是在恒液面恒温条件下进行，通过特殊工艺过程和特殊设计的恒液面加料炉实施：(1)工艺条件：a．生长用的助熔剂为Na2O，其组成配比(wt％)为Na2O∶BaB2O4=20-30∶80-70b．籽晶取向：(0001)误差2-4°c．原料经球磨均匀混和48小时，静水压压成柱状料块，压力为10-50T/cm2(2)生长条件：生长温度910-925℃提拉速度1.2-1.8mm/天转速5-10转/分温度梯度15～40℃/cm其特征在于：(1)恒液面加料炉的送料管(4)和伺服坩埚(12)是在生长坩埚的一侧，伺服坩埚(12)和生长坩埚(8)是通过连通管(13)成连体坩埚，连通管(13)的倾斜角为30-40度，伺服坩埚(12)和生长坩埚(8)之间的温差是通过分别加温控制，两者之间设有隔温板，伺服坩埚的温度比生长坩埚高出30-120℃。(2)生长用的助溶剂分别为BaF2或Na2O+BaF2，其组成配比(wt％)是：BaF2∶BaB2O4=33-36∶64-67(BaF2+Na2O)∶BaB2O4=(15+17)∶68(3)柱状料块通过加料管，间歇式以每小时小于2g的速度落入伺服坩埚(12)内先熔化，然后通过连通管(13)再进入生长坩埚(8)。