[发明专利]用于输出兰绿光10.6μm红外传感元件陶质芯片及其制备方法无效

专利信息
申请号: 94112052.X 申请日: 1994-02-24
公开(公告)号: CN1052371C 公开(公告)日: 2000-05-10
发明(设计)人: 陈述春;邱佩华;戴凤妹 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: H05B33/14 分类号: H05B33/14;C09K11/08
代理公司: 上海华东专利事务所 代理人: 李兰英
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明是一种用于输出兰绿光10.6μm红外传感元件陶质芯片及其制备方法。是一种热致发光的红外敏感的陶质芯片。主要用于将CO2激光在10.6μm的红外光转换成兰绿色可见光。它是由多元化合物在惰性气氛下温度为1000~1250℃烧0.5~2小时而制成的陶质芯片。陶质芯片的化合物基质是碱土硫化物SrS,掺有两种稀土离子,一种为铈(Ce),另一种是镝、钬或者铒,同时加入适量的氟化物、碱土氟化物。本发明的芯片具有机械强度高,适宜目视观察,灵敏度高,利于照相记录,不产生挥发物,无污染等优点。
搜索关键词: 用于 输出 兰绿光 10.6 红外 传感 元件 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于输出兰绿光10.6μm红外传感元件陶质芯片,它是以碱土硫化物中的硫化锶作为基质,掺入两种稀土离子和适量的氟化物以及碱土氟化物烧制而成的多元化合物所构成,其特征在于多元化合物掺入的第一种稀土离子是铈,第二种稀土离子是铒,钬,镝,其具体的化学成份为(按相对重百分比):SrS100wt%M(Ca,Sr,Ba)SO40-6wt%M(Ca,Sr,Ba)F20-8wt%M(Li,Na,K)F2-12wt%Ce0.02-0.12wt%R(Er,Ho,Dy)0.005-0.05wt%
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