[发明专利]激光蒸发装置及应用该装置的半导体形成法无效
| 申请号： | 94102046.0 | 申请日： | 1994-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1094848A | 公开（公告）日： | 1994-11-09 |
| 发明（设计）人： | 吉田善一;伊东克通;水口信一;三露常男;大川和宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L21/38;C23C14/00 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明目的在于向Ⅱ-Ⅵ族半导体添加高浓度的P型杂质。通过使脉冲喷嘴喷出的激发氮气向基板的照射与对Ⅱ-Ⅵ族半导体构成元素靶的脉冲激光照射交替地进行，形成添加氮的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 蒸发 装置 应用 半导体 形成 | ||
【主权项】：
1、一种激光蒸发装置其特征在于包括：脉冲激光振荡器；聚光透镜；真空槽；设置于所述真空槽上的激光入射窗；位于所述真空槽内被激光照射的靶；位于靶上方、使之淀积因激光照射而由靶喷出的物质的基板；用来向基板吹送气体的脉冲式喷嘴，所述装置使脉冲激光器与脉冲喷嘴交替地动作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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