[发明专利]一种多层陶瓷电容器的制造方法无效
| 申请号： | 93119062.2 | 申请日： | 1993-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1036228C | 公开（公告）日： | 1997-10-22 |
| 发明（设计）人： | 野井庆一;上野;生越洋一;若畑康男 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30;H01G4/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 汪瑜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是有关用于因噪声、脉冲、静电等异常高电压需保护IC、LSI等半导体器件的多层陶瓷电容器的制造方法，并且提供了一种利用降低元件阻抗，可改善除去、抑制信号线路中的高频噪声的多层陶瓷电容器。为达到上述目的，本发明在电极(2)之间至少施加1次脉冲电压，上述脉冲电压的条件是，最大值为50KV以下，从初始值到最大值的时间为200纳秒以下，从前述初始值经最大值回到初始值的时间为1微秒以下，能量为0.5焦耳以下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 陶瓷 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层陶瓷电容器的制造方法，工序如下：(1)对陶瓷材料的各成份称量，混合，粉碎，干燥，造粒，成形处理，形成陶瓷片；(2)用所述陶瓷片制成至少包含两个外部电极的多层陶瓷电容器；其特征在于，(3)在所述多层陶瓷电容器的所述外部电极之间至少施加1次脉冲电压，上述脉冲电压的条件是最大值为50KV以下，从初始值至最大值的时间为200纳秒以下，从前述初始值经最大值回到初始值的时间为1微秒以下，能量为0.5焦耳以下。
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