[发明专利]采用晶态硅薄膜阻光层的液晶光阀及其制造方法无效
| 申请号: | 93116734.5 | 申请日: | 1993-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN1030111C | 公开(公告)日: | 1995-10-18 |
| 发明(设计)人: | 韩高荣;韩伟强;杜丕一;丁子上 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/13;G02F1/135 |
| 代理公司: | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人: | 陈祯祥 |
| 地址: | 3100*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 一种液晶光阀,其特点是采用晶态硅薄膜作为阻光层(8),解决了晶格失配问题。而且该阻光层与非晶态硅薄膜光导层(9)形成异质结,从而在更大范围内改善了液晶光阀的分辨率、对比度等性能。一种液晶光阀的制造方法,其特征是非晶硅薄膜光导层(9)和晶态硅薄膜阻光层(8)采用辉光放电等离子体化学气相沉积法在同一反应室内制备,从而可保证获得良好的异质结。因此,可获得性能优良的液晶光阀。 | ||
| 搜索关键词: | 采用 晶态 薄膜 阻光层 液晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶光阀,在基片玻璃[1]和[11]上分别有透明导电膜[2]和[10],在导电膜[10]上为光导层[9],光导层与其相邻的阻光层[8]形成异质结,在阻光层上为高反膜[7],在定向膜[3]和[6]以及衬垫[4a]和[4b]之间为向列型液晶[5],低压交变电源[12]接到导电膜[2]和[10]上,其特征是阻光层[8]采用晶态硅薄膜,晶态硅薄膜中晶体的体积含量大于50%;并掺入微量磷[P]或硼[B],掺入浓度为B2H6/SiH4或PH3/SiH4为0~10-3;晶态硅薄膜的暗电导率为10-5~10-8(Ω·cm)-1光电导率为10-5~10-6(Ω·cm)-1;光学能隙为1.20~1.60ev;晶态硅/非晶态硅异质结的光吸收系数在可见光范围为104~105cm-1;I-V特性正反向电流之比在电压大于1伏区域为103~105;该异质结的内建电场为0.1~0.4V。
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