[发明专利]采用晶态硅薄膜阻光层的液晶光阀及其制造方法无效

专利信息
申请号: 93116734.5 申请日: 1993-08-23
公开(公告)号: CN1030111C 公开(公告)日: 1995-10-18
发明(设计)人: 韩高荣;韩伟强;杜丕一;丁子上 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/13;G02F1/135
代理公司: 浙江大学专利代理事务所 代理人: 陈祯祥
地址: 3100*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种液晶光阀,其特点是采用晶态硅薄膜作为阻光层(8),解决了晶格失配问题。而且该阻光层与非晶态硅薄膜光导层(9)形成异质结,从而在更大范围内改善了液晶光阀的分辨率、对比度等性能。一种液晶光阀的制造方法,其特征是非晶硅薄膜光导层(9)和晶态硅薄膜阻光层(8)采用辉光放电等离子体化学气相沉积法在同一反应室内制备,从而可保证获得良好的异质结。因此,可获得性能优良的液晶光阀。
搜索关键词: 采用 晶态 薄膜 阻光层 液晶 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种液晶光阀,在基片玻璃[1]和[11]上分别有透明导电膜[2]和[10],在导电膜[10]上为光导层[9],光导层与其相邻的阻光层[8]形成异质结,在阻光层上为高反膜[7],在定向膜[3]和[6]以及衬垫[4a]和[4b]之间为向列型液晶[5],低压交变电源[12]接到导电膜[2]和[10]上,其特征是阻光层[8]采用晶态硅薄膜,晶态硅薄膜中晶体的体积含量大于50%;并掺入微量磷[P]或硼[B],掺入浓度为B2H6/SiH4或PH3/SiH4为0~10-3;晶态硅薄膜的暗电导率为10-5~10-8(Ω·cm)-1光电导率为10-5~10-6(Ω·cm)-1;光学能隙为1.20~1.60ev;晶态硅/非晶态硅异质结的光吸收系数在可见光范围为104~105cm-1;I-V特性正反向电流之比在电压大于1伏区域为103~105;该异质结的内建电场为0.1~0.4V。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/93116734.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top