[发明专利]制造液晶显示器基板及评价半导体晶体的方法与装置无效
| 申请号： | 93114676.3 | 申请日： | 1993-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1088002A | 公开（公告）日： | 1994-06-15 |
| 发明（设计）人： | 今桥一成;浜贵一;烟次郎 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;H01L21/26;H01L25/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用CVD法在一块玻璃基板上形成一层非晶硅膜，然后用一个激光束照射部件将与岛形区同样尺寸的激光束脉冲间隙性地照射在非晶硅膜上而将非晶硅膜的岛形区改变成排列成一行并以预定的距离互相分隔开的多个多晶硅区。包含作为半导体区的岛形区的开关元件是通过蚀刻与膜形成处理形成的，以构成一个驱动电路区。该区分成门驱动电路区与源驱动电路区用于驱动形成在一个象素区中的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 液晶显示器 评价 半导体 晶体 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种制造液晶显示器基板的方法，该基板包括一块基板、布置在基板的一个象素区中的多个半导体元件以及用于驱动这些半导体元件的多个驱动电路区，所述方法包括以下步骤：在所述基板上形成一层非晶半导体膜；间隙性地将具有预定尺寸截面的激光束脉冲作用在所述非晶半导体膜的目标表面区上，借此将所述目标表面区改变成基本上等于所述预定尺寸的岛形多晶硅区；使用所述岛形多晶硅区形成驱动电路区；以及使用一部分所述非晶半导体膜，在所述象素区中形成所述半导体元件并将所述半导体元件电气地连接到所述驱动电路区上。
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