[发明专利]镓铟砷(GaInAs)横向光电晶体管无效
| 申请号： | 93114285.7 | 申请日： | 1993-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1034251C | 公开（公告）日： | 1997-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李安民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;电子工业部第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 镓铟砷横向光电晶体管是根据横向光电晶体管的原理制作的一种均匀掺杂、宽基区，发射极结和集电极结在镓铟砷处延层顶部横向排列，电极对称，极性任意的光电器件。其是镓铟砷横向光电晶体管(5)与结型场效应晶体管(6)可以集成在一个镓铟砷外延层上，做成光电器件与电子器件集成在一起的长波长接收器。其最大优点是两种器件外延层共用；工艺相容，而制作的长波长接收器可广泛用于光纤通信接收机和中继器。 | ||
| 搜索关键词： | 镓铟砷 gainas 横向 光电晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种镓铟砷横向光电晶体管，其特征在于，在同一镓铟砷外延层(2)上，包含有镓铟砷横向光电晶体管(5)和镓铟砷结型场效应晶体管(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
