[发明专利]含氮直拉硅单晶的热处理方法无效
| 申请号： | 93112445.X | 申请日： | 1993-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1029694C | 公开（公告）日： | 1995-09-06 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;杨建松;李立本;姚鸿年;阙端磷;张锦心;樊瑞新;张奚文 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 3100*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和半导体器件制造。 | ||
| 搜索关键词： | 含氮直拉硅单晶 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，包括硅中氮含量为5×1014/cm3～9×1015/cm3，硅中氧含量为5×1017/cm3～2×1018/cm3，还包括加热至650℃、在氮保护气氛下保温0.5～1小时、快速冷却至常温的中温退火处理，其特征在于：采用高温退火处理和中温退火处理相结合的热处理方法，其工艺步骤为：A.在氮气氛下加热至850℃～1150℃，保温0.5～3小时，缓慢冷却至常温；B.尔后，在氮气氛下加热至650℃，保温0.5～1小时，快速冷却至常温。
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