[发明专利]单向场发生器无效
| 申请号： | 93108156.4 | 申请日： | 1993-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1083870A | 公开（公告）日： | 1994-03-16 |
| 发明（设计）人： | 华-钦·冬;约翰·J·纽曼;宏-山·J·吴 | 申请（专利权）人： | 里德-莱特公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 陆立英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在一基片上沉积磁性材料的装置采用由永久磁体片形成的磁体组件，它能产生一同轴磁场，该磁体组件最好由陶瓷块构成，这些块相互粘接以形成一个拱形结构条。永久磁体条位于沉积舱的外部，其位置能使磁力线穿透位于舱内的工件或垫片。 | ||
| 搜索关键词： | 单向 发生器 | ||
【主权项】：
1、一种用于在一基片上沉积磁性材料的装置，其特征在于包括：一个具有壳壁的溅射舱；放置在上述舱内的一个支架，所述基底可放在该支架上；位于所述舱外部的一个永久磁铁组件，所说组件包括多个永久磁体片，以便在沉积过程中使得所述磁性材料的磁矩达到一致。
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