[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 93104442.1 | 申请日： | 1993-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1032339C | 公开（公告）日： | 1996-07-17 |
| 发明（设计）人： | F·A·C·M·舒夫斯 | 申请（专利权）人： | 菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/804 | 分类号： | H01L29/804;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,曹济洪 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种结型场效应晶体管(JFET)结构，适于极低和极高的工作电压，其夹断电压可用掩模的尺寸来改变而无需改变制造工艺，实现结构方法是将第一与第二JFET按共射共极接法而连接，其前者具有在平行于半导体本体表面的横向上夹断的由扩散或注入形成的沟道，后者的击穿和夹断电压都比前者高。为提高击穿电压，还可将二者的组合件与沟道导电类型与第一和第二JFET相反的第三JFET按共射共极接法连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该器件的半导体本体有一个第一种导电型的层状区，该层状区毗连一个表面，且设有一种其沟道在平行该表面的横向上具有夹断效应的第一结型场效应晶体管(JFET)，该晶体管的一个沟道毗连该表面，且由一个pn结将其与半导体本体形成晶体管栅区的毗邻部分隔开，其特征在于，该沟道的第一种导电型的层状区中设有第二种导电型的表面层，同时层状区中还设有掺杂浓度比形成栅区的层状区高的第一种导电型限制沟道表面层，而且一个其沟道为第二种导电型、栅区为第一种导电型的第二结型场效应晶体管JFET与该第一结型场效应晶体管JFET串联连接，该第二晶体管的击穿电压和夹断电压都比该第一晶体管的高。
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