[发明专利]内源电压发生电路无效
| 申请号： | 93103554.6 | 申请日： | 1993-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1043694C | 公开（公告）日： | 1999-06-16 |
| 发明（设计）人： | 徐英豪;金奭斌 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,肖掬昌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种产生加到半导体存储器存储元件上的内源电压的电路，包括基准电压发生电路，用以产生基准电压；比较器，用以比较内源电压与基准电压；激励器，用以在比较器的控制下将外源电压激励成内源电压；低基准电压发生电路，用以在外源电压低于基准电压时产生控制信号使激励器完全导通，从而所述低基准电压发生电路的控制信号防止激励器接收比较器的输出信号，以便将外源电压加到存储器的存储元件上。 | ||
| 搜索关键词： | 内源 电压 发生 电路 | ||
【主权项】：
1．一种根据接收的给定外源电压而产生用以加到半导体存储器的存储元件上的内源电压的电路，包括：第一基准电压发生装置，用以产生基准电压；比较装置，用以将所述内源电压与所述基准电压进行比较；激励装置，用以在所述比较装置的控制下将外源电压激励成内源电压；其特征在于：第二基准电压发生装置，用以在所述外源电压的电压电平低于所述基准电压的电压电平时产生控制信号，使所述激励装置完全导通；从而，所述第二基准电压发生装置的所述控制信号防止所述激励装置接收所述比较装置的输出信号，从而将所述外源电压加到所述存储元件上。
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