[发明专利]难熔金属覆盖的低阻金属导体线和通路及其制造方法无效
| 申请号： | 93101333.X | 申请日： | 1993-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1044649C | 公开（公告）日： | 1999-08-11 |
| 发明（设计）人： | 雷吉夫·Ｖ·乔西;杰罗姆·Ｊ·库欧莫;霍玛兹雅·Ｍ·达拉尔;路易斯·Ｌ·苏 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付康 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一般涉及电的导体线与通路的制法。采用物理汽相淀积低电阻率金属或合金之后接着化学汽相淀积难熔金属与随后的平整化两者的结合可制出优良的导线和通路。ＣＶＤ施加难熔金属盖时，改变SiH4与WF6之比可以控制硅掺入钨的盖层的量。准直溅射可在介质开口产生难熔金属衬垫，适合于作铜基金属化以及ＣＶＤ钨的扩散阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 覆盖 导体 通路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种器件，包括一衬底、至少一层位于所述衬底上的介质层，以及位于所述至少一层介质上的一个开口内的金属化部分；其中所述金属化部分从与所述至少一层介质层朝向所述衬底的一个表面共平面的表面伸出；以及所述金属化部分由被至少一种难熔金属或合金密封的低电阻率金属或合金组成，其特征在于：所述低电阻率金属或合金的侧壁互相朝着所述金属化部分与所述至少一层介质的表面共面的那部分表面向内逐渐变细。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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