[实用新型]浮区熔化单晶体材料制备装置无效
| 申请号： | 92242780.1 | 申请日： | 1992-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN2148081Y | 公开（公告）日： | 1993-12-01 |
| 发明（设计）人： | 葛云龙;杨院生;焦育宁;刘清民;刘传胜;胡壮麒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B13/16 |
| 代理公司： | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人： | 朱光林 |
| 地址： | 110015*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本结构属于单晶材料制备装置，其结构是在原料棒与单晶中间的熔区两侧加有热源，与热源光束垂直同时与料棒垂直且在熔区两侧加有磁极，使熔区内形成均匀磁场，磁场为环形磁铁，在环形磁铁的中间绕有线圈，磁场为恒定磁场，也可为交变磁场，磁极放在底座上。其优点是把恒稳或交变磁场施加到浮区熔池上，固熔体置于外加磁场中，其流动便出现感生电流和磁场，以形成电磁制动力，保证晶体稳定生长，单晶质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 熔化 单晶体 材料 制备 装置 | ||
【主权项】：
1、一种浮区熔化单晶体材料制备装置，其特征在于结构为在原料棒(4)与单晶(5)中间的熔区(6)两加侧加有热源(1)，在与热源光束(1)垂直同时与料棒(4)垂直且在熔区(6)两侧加有磁极(3)，使熔区(6)内形成均匀磁场，磁极(3)为环形磁铁，在环形磁铁中间绕有线圈(2)，磁极放在基座(7)上。
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