[发明专利]一种氧化铁版的制备方法无效
| 申请号： | 92113981.0 | 申请日： | 1992-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1073776A | 公开（公告）日： | 1993-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞兰;于全训;杜长英;李来仲 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人： | 李荣升,刘国涛 |
| 地址： | 250014 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氧化铁版的制备方法，该方法采用聚乙烯二茂铁取代已有技术中的五羰基铁。聚乙烯二茂铁是起掩膜材料和感光胶双重作用，用于电子束制版时使掩膜制造和光刻图形一步完成，简化了工艺，降低了成本，提高了掩膜质量，解决了已有技术中五羰基铁造成的毒害和污染问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铁 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化铁版的制备方法包括涂感光胶，曝光、显影，其特征在于，以聚乙烯二茂铁做为掩膜制造材料和感光材料。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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