[发明专利]一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法无效
| 申请号： | 92113809.1 | 申请日： | 1992-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1025526C | 公开（公告）日： | 1994-07-20 |
| 发明（设计）人： | 袁诗鑫;李杰;彭中灵;陈新禹;俞锦陛;郭世平;乔怡敏;于梅芳;谢钦熙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 高毓秋 |
| 地址： | 200083*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激光器性能。在n区夹一层50纳米的Zn1-xCdxSySe1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝绿色 半导体激光器 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蓝绿色半导体激光器材料，采用n型载流子浓度为1×1018厘米-3的(100)GaAs衬底，在衬底上逐层生长有：(1)1微米厚度电子浓度为1×1018厘米-3的GaAs过渡层，(2)2.0～2.5微米厚载流子浓度为5×1017厘米-3的n型缓冲层，其特征在于：(3)原子层外延法生长的原子层超晶格多量子阱有源区{ZnSe(20纳米)-[(ZnSe)m(CdSe)n]j}M，其中m与n为不大于4的单原子层数，j是小于15的原子层超晶格周期数，M为5～7的多量子阱的个数，(4)1微米厚的载流子浓度为4×1017厘米-3的P型ZnSe层，(5)20-30纳米厚的载流子浓度为1×1020厘米-3的P型ZnSe层的接触层。
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