[发明专利]硅片直接键合方法无效
| 申请号： | 92107813.7 | 申请日： | 1992-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1028191C | 公开（公告）日： | 1995-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张会珍;童勤义;秦明;陈大金;黄庆安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 王之梓,张宁馨 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 硅片直接键合方法适用于硅片之间的直接化学键合，它将经过镜面抛光的硅片在H2SO4和H2O2混合液中煮，再在稀HF溶液中漂，用去离子水冲干净并在室温下甩干后即可重合，重合好的硅片快速投入高温炉中进行热处理，然后缓慢降温即可实现硅片直接键合，具有工艺和设备简单，重合速度快，键合周期短，键合面积大等优点，可用于多种材料的键合，便于在大量生产中推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 直接 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于硅片之间实现直接化学键合的硅片直接键合方法，其特征在于将经过镜面抛光的硅片直接进行清洗甩干，再在室温下实现镜面紧密接触，使两硅片重合在一起，然后快速投入高温炉中进行热处理，恒温处理后再缓慢降温即可实现硅片的直接键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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