[发明专利]在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备

摘要

硅太阳能电池是通过让基片经受扩散以形成P-N结的过程制造的，其中含有选定掺杂剂的液态掺杂剂源物质是喷涂在该基片的一侧，而后将基片在含氧环境中焙烧，所用的条件是计算出来的，以让该掺杂剂能扩散进入基片，从而在每一基片上形成浅薄的P-N结。

主权项

1、一种在硅基片上形成浅薄p-n结并用以生产光生伏特电池的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供多个硅基片，每一基片均具有前表面和后表面，并且所述每一基片均为第一种导电类型的；(b)应用一种超声喷涂装置在所述每一基片的前表面上喷涂一层基本上均匀的含有掺杂剂源材料的液体，所述超声喷涂装置是在不使用加压气体的情况下使所述源材料液体雾化并将该液体源材料以低速度并以基本上微粒化的液滴形式喷涂到所述每一基片的前表面上，并且所述掺杂剂是第二种的相反导电类型的；(c)对所述涂层进行干燥，在所述每一基片的前表面上留下含掺杂剂的残留物，以及(d)对所述基片在含氧气氛中进行焙烧，使所述掺杂剂从所述残留物中扩散到相关的所述基片中，以便在每一基片上提供第二种相反导电类型的浅薄区域以及靠近所述前表面的p-n结。