[发明专利]偏转线圈无效
| 申请号: | 91108015.5 | 申请日: | 1991-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN1057864C | 公开(公告)日: | 2000-10-25 |
| 发明(设计)人: | M·米利利;A·马约 | 申请(专利权)人: | 录象色彩有限公司 |
| 主分类号: | H01J29/76 | 分类号: | H01J29/76 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正,王忠忠 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 在装于阴极射线管的一个偏转线圈中,在鞍形线圈式的水平偏转线圈靠近线圈电子束入口处的后面部分之上装有一对硅钢场形成器构件,使鞍形线圈的各部分安插在场形成器构件与阴极射线管的管颈部分之间。场形成器构件通过使鞍形线圈后面部分水平偏转场的形状更呈枕形来减少水平慧形像差。 | ||
| 搜索关键词: | 偏转线圈 | ||
【主权项】:
1.一种偏转装置,它包括:一个具有一字排列式电子抢的阴极射线管(90),包括一个抽真空玻壳、一个配置在所述玻壳的一端的显示屏(22)和一个配置在所述玻壳的另一端的电子枪组件(44),所述电子枪组件产生多个当偏转时在所述显示屏上形成相应光栅的电子束(R、G、B);一个套在所述玻壳上的偏转线圈(55),它包括:垂直偏转线圈(99a、99b),用以在所述阴极射线管中产生垂直偏转场;第一和第二水平偏转线圈(10a,10b),个个为鞍形,彼此径向相对配置,用以在所述阴极射线管中产生水平偏转场,所述第一和第二水平偏转线圈各自包括多个导线,用来形成沿所述阴极射线管的纵向延伸的相应的第一和第二分绕组(10a1、10a2、10b1、10b2);一个芯子(66),由导磁材料制成,与所述垂直和水平偏转线圈磁耦合;其特征在于:一对场形成器构件(8a、8b),每个场形成器构件(8a、8b)配置在所述第一水平偏转线圈(10a)的所述第一分绕组(10a1)的一部分的外表面和所述第二水平偏转线圈(10b)的所述第一分绕组(10b1)的一部分的外表面附近,该两个分绕组部分以这样的方式处在靠近所述电子枪组件(44)的所述水平偏转线圈的电子束入口部分附近,使其跨越所述第一水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分和所述第二水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分,所述第一水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分和所述第二水平偏转线圈的所述第一分绕组的所述部分彼此相邻配置,每一个都安插在所述玻壳的颈部与所述场形成器构件之间,所述场形成器构件改变由所述电子束入口部分附近产生的所述水平偏转场的付立叶系数(H2(Z))表示的场强分布,使得可以校正电子束着屏的彗形像差。
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