[发明专利]一种双向晶闸管的烧结工艺无效
| 申请号： | 91104567.8 | 申请日： | 1991-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1022595C | 公开（公告）日： | 1993-10-27 |
| 发明（设计）人： | 赵善麒 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/58;H01L21/28 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 张博然 |
| 地址： | 130023 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明是一种用铬-镍-银形成的金属阻挡层改进双向晶闸管的烧结工艺。这种新的带有Cr·Ni·Ag阻挡层的烧结工艺，避免了烧结端n型硅被“吃掉”或被部分补偿现象，从根本上解决了烧结沾润不好和翻铝现象，而且烧结形成的合金结浅而平坦。因此，提高了器件烧结的成品率，改善了器件的通态压除、dv/dt耐量、反向阻断特性和参数一致性。该发明工艺先进，而且这种烧结工艺散热效果好，可以在硅片直径不变大的情况下使器件获得较大的功率，因此，将会创造一定的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 晶闸管 烧结 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种双向晶闸管的烧结方法，其特征在于：在硅片、铅片、钼片烧结前，先在硅片表面蒸发上1200一1500A厚的Cr膜，4200-4500A厚的Ni膜及8000-8500A厚的Ag膜，然后在680-690℃下真空烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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