[实用新型]采用半导体器件的高频热合装置无效
| 申请号： | 90201163.4 | 申请日： | 1990-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN2059127U | 公开（公告）日： | 1990-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨永常 | 申请（专利权）人： | 杨永常 |
| 主分类号： | B29C65/04 | 分类号： | B29C65/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种采用半导体器件的高频热合装置，适用于热合塑料软管或膜。它的特点是用两个半导体器件构成推挽工作状态的高频振荡器，它产生的高频功率连接到由电磁铁驱动的工作钳口上。高频振荡器和电磁铁受一个时间可调的单稳态触发器控制，并使电磁铁延时释放。采用开关型稳压器提高本装置的可靠性，采用滤波器和屏蔽外壳减少高频辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 半导体器件 高频 装置 | ||
【主权项】：
1、一种采用半导体器件的高频热合装置，特别是热合塑料软管或膜的装置，该装置的特征是用两个半导体器件构成推挽工作状态的高频振荡器，它产生的高频功率连接到由电磁铁驱动的工作钳口上，钳口电容是高频振荡器的谐振电容，高频振荡器和电磁铁受一个时间可调的单稳态触发器控制，并使电磁铁延时释放，采用脉宽调制式开关型稳压电源提高可靠性，采用滤波器和屏蔽外壳减少高频幅射。
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