[发明专利]锰铋加轻稀土元素的磁光薄膜介质无效
| 申请号： | 90110030.7 | 申请日： | 1990-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1027200C | 公开（公告）日： | 1994-12-28 |
| 发明（设计）人： | 方瑞宜;李东镭;刘明升;杨丹坤;戴道生 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11B11/10 | 分类号： | G11B11/10 |
| 代理公司： | 北京大学专利事务所 | 代理人： | 陈美章 |
| 地址： | 100871 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是在MnBi中掺入轻稀土元素R(R＝La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd)，蒸镀时投料的配方适当，改善了介质的热稳定性，大大增高了磁光Kerr转角θK(θK＝1.8-2.6°)，并提高了介质的磁光优值θKR反的值。本发明在蒸镀时采用液氮冷却基片的方法，使生成的晶粒细化，降低了晶界噪声。在退火工艺中采用“步进式”退火方法，提高了样品性能的均匀性。该发明是用作磁光存储技术中磁光盘片的介质和用于磁光技术中的各种磁光器件的金属薄膜介质。 | ||
| 搜索关键词： | 锰铋加轻 稀土元素 薄膜 介质 | ||
【主权项】：
1.一种锰铋磁光薄膜介质，其特征在于添加轻稀土元素R(R代表La、Ce、Pr、Md、Sm和Gd，其制膜时投料的原子比例为：Mn：Bi在1.5到3.5之间R：Bi在0到0.4之间把由Mn，Bi和R三种元素制成的磁光薄膜介质简写成MnBiR形式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/90110030.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
