[发明专利]辉光离子氮化、强化处理设备无效
| 申请号： | 90105896.3 | 申请日： | 1990-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1054274A | 公开（公告）日： | 1991-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张宜君;邹世友;舒正国;刘炳权;周上祺;严金淮;胡振纪 | 申请（专利权）人： | 自贡市低压电器厂;重庆大学 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36 |
| 代理公司： | 四川省自贡市专利事务所 | 代理人： | 黄道和,陆木林 |
| 地址： | 643012 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种辉光离子氮化、强化处理设备，由炉体，氮化供电系统，强化供电系统，冷却水系统，供气、抽气系统以及压力环节，温度环节构成。适用于对工件在同一炉体中既能进行氮化处理，又能进行强化处理，并能完成从氮化到强化功能的直接转换，经过强化处理后可使氮化层深度增加40％，硬度提高50％，耐磨性能提高1倍以上，具有缩短工件生产周期和降低设备成本，及其结构简单，使用安装方便的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 辉光 离子 氮化 强化 处理 设备 | ||
【主权项】：
1、一种辉光离子氮化、强化处理设备，由炉体，氮化供电系统，冷却水系统，供气，抽气系统和压力环节，温度环节组成，其特征是在氮化炉体中安装了电加热元件，如管状或用电阻丝绕制的其他形状的加热元件，其材料可用镍铬合金，石墨，钨丝，钼丝制成，同时还存电气控制回路中设计安装了强化电气控制回路、该回路由主变压器，可控硅半控整流器、滤波器、电压、电流表以及可控硅触发器组成提供一个电压可调的直流工作电源，在控制回路中，按下AN1按钮，接触器C2闭合，氮化处理回路工作，强化处理回路不工作，仅之按下AN2按钮接触器JC3闭合，强化处理回路工作，氮化处理回路不工作的设备。
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