[发明专利]一种获得半导体异质结与超晶格材料的方法及设备

摘要

本发明涉及在半导体基质材料上获得原子级晶格材料的方法及专用生长设备。在一透明室内注入气相材料，并维持10-2托以下的真空条件，采用灯加热使气相材料反应在基底表面反应淀积，反应淀积温度在气相材料、热解温度或其它临界反应温度之上，重复上述过程可以获得多层同质或异质超晶格材料，最佳生长温度控制在气相材料热解温度或临界反应温度以上附近的温区。专用生长设备包括常规CVD设备、抽真空设备及灯加热设备、质量流量控制器，尤以计算机控制为佳。

主权项

1.一种在半导体基质材料上获得原子级晶格材料的方法，在一生长室内，注入气相材料，其特征是采用灯加热使气相材料在基底表面反应淀积，反应淀积温度在气相材料热解温度或其它临界反应温度以上，生长室为带有透明窗或全透明的生长室，灯加热功率使基质材料升温速率达70～300℃/秒，并在10-2Torr以下的真空条件下生长。